2021年7月23日下午，应我院徐华教授邀请，中山大学罗鑫教授在致知楼2307会议室为广大师生作了题为“二维铁电、铁磁功能材料”的学术报告。我院徐华教授，西安电子科技大学李晓波副教授出席了本次报告会，我院相关本科生和硕士生到场聆听了本告，报告会由徐华教授主持。

        报告开始前，徐华教授对主讲嘉宾作了简要介绍。报告会上，罗鑫教授以二维铁电、铁磁功能材料为主题，以二维铁性材料为背景，讲述了二维铁电、铁磁材料可以产生自发极化和自发磁化，从而可以减少存储器的读写时间，因此在电存储以及磁存储等领域具有非常广泛的应用前景。首先，罗鑫教授为在座的老师和同学们介绍了已经报道的几种类型的二维铁磁材料（CrI3、Cr2Ge2Te6、Fe3GeTe2）和二维铁电材料（SnTe、In2Se3、CuInP2S6、WTe6、C/BN Moire heterostructures）。接着，罗鑫教授就其团队近几年来在二维多功能材料方面的工作展开了介绍，其团队在未被发现的扭曲的1T (d1T)相单层MoTe2中发现了稳定的室温面外铁电性，这是迄今为止报道的最薄的具有面外极化的稳定铁电体，并且，在二维材料In2Se3中发现面内反铁电相β'-In2Se3，该反铁电相被限制在二维材料的层内并产生不同周期的纳米畴结构:单个纳米畴内呈现局部铁电极化，而相邻的畴的电极化相反，从而净极化为零。此外，通过理论计算与实验揭示了在材料生长过程中，可以通过调节过渡金属元素与非金属元素之间的化学计量比，从而合成将自身的过渡金属原子插层到过渡金属硫族化物的范德华间隙中，从而产生--类超薄的介于共价键与范德华晶体之间的准共价键合材料，这些自插层二维材料可以产生许多新的功能性质，如铁磁性。

        报告会结束后，罗鑫教授与在座师生就其报告中自插层二维材料相关的学术问题展开了热烈讨论，并对老师和学生们所提出的问题进行了一一解答。

        罗鑫教授简介：中山大学物理学院教授/博导，于2006年和2011年在中山大学获得学土和博士学位，在2018年加入中山大学之前，曾在新加坡科研局高性能计算研究所(HPC) (2011-2013) 任职研究员，在新加坡国立大学(2013-2017)任职资深研究员和香港理工大学(2017-2018年)任职助理教授。目前的研究兴趣包括低维材料的设计，宽禁带半导体，以及相关功能材料在人工智能器件与信息存储方面的应用。在Nature, Phys. Rev. Lett, Nat. Commun等期刊发表多篇学术报告。